Leistungshalbleiter aus Österreich Infineon investiert 1,1 Milliarden Euro in 300-mm-GaN-Fertigung in Villach

Von Susanne Braun 2 min Lesedauer

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Infineon baut in Villach die nach eigenen Angaben weltweit erste Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungshalbleiter auf 300-mm-Wafern auf. Der Produktionsstart ist für Ende 2027 geplant. Die EU unterstützt das Vorhaben mit genehmigten Fördermitteln von 319 Millionen Euro.

300-mm-GaN-Fertigung: Infineon investiert rund 1,1 Milliarden Euro in den Ausbau seines Standorts Villach. Ab Ende 2027 sollen dort GaN-Leistungshalbleiter auf 300-mm-Wafern in die Hochvolumenfertigung gehen.(Bild:  Infineon)
300-mm-GaN-Fertigung: Infineon investiert rund 1,1 Milliarden Euro in den Ausbau seines Standorts Villach. Ab Ende 2027 sollen dort GaN-Leistungshalbleiter auf 300-mm-Wafern in die Hochvolumenfertigung gehen.
(Bild: Infineon)

Infineon investiert bis 2034 rund 1,1 Milliarden Euro in den Ausbau seines österreichischen Standorts Villach, wie das Unternehmen am 27. Oktober 2026 mitgeteilt hat. Dort soll die weltweit erste Hochvolumenfertigung für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter (GaN) auf 300-mm-Wafern entstehen. Der Produktionsstart ist für Ende des Jahres 2027 vorgesehen. Der anschließende Kapazitätsausbau soll sich an der Marktnachfrage orientieren. Vond er wird angenommen, dass sie in den kommenden Jahren stetig steigt.

Für die Fertigung nutzt Infineon die bereits bestehenden Reinraumflächen und modernisiert die vorhandene Infrastruktur. Damit will der Halbleiterhersteller zusätzliche Produktionskapazitäten schaffen, ohne eine vollständig neue Fabrik errichten zu müssen. Bereits 2024 hatte Infineon erstmals 300-mm-GaN-Wafer erfolgreich prozessiert, 2025 wurde die Produktion bereits hochgefahren.

Der Wechsel von 200 auf 300 mm vergrößert die nutzbare Waferfläche erheblich. Nach Angaben von Infineon lassen sich dadurch rund 2,3-mal so viele Chips pro Wafer herstellen. Damit könnten langfristig auch die Stückkosten sinken und das wiederum wäre eine wichtige Voraussetzung dafür, GaN-Leistungshalbleiter in weiteren Anwendungen einzusetzen.

Galliumnitrid ermöglicht gegenüber konventionellen Siliziumbauteilen in geeigneten Anwendungen höhere Schaltfrequenzen und geringere Schaltverluste. Dadurch können beispielsweise Stromversorgungen kompakter ausgelegt und ihre Energieverluste reduziert werden. Zu den Zielmärkten gehören Rechenzentren, Energieinfrastruktur, Elektromobilität, Robotik und Consumer-Elektronik.

EU-Kommission genehmigt 319 Millionen Euro Förderung

Das Investitionsvorhaben wird im Rahmen des European Chips Acts unterstützt. Die Europäische Kommission hat staatliche Fördermittel in Höhe von 319 Millionen Euro genehmigt. Die formelle Förderzusage durch das österreichische Wirtschaftsministerium steht noch aus. In Villach, Infineons Kompetenzzentrum für Leistungselektronik und neue Halbleitermaterialien, sind rund 4.800 Mitarbeiter beschäftigt. Neben der Fertigung sind am Standort auch Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten angesiedelt.

Der Ausbau ist zugleich ein industriepolitisches Signal: Mit der Hochvolumenfertigung für 300-mm-GaN-Wafer entsteht in Europa eine zusätzliche Produktionsbasis für Leistungshalbleiter, die bislang stark von internationalen Lieferketten geprägt sind. Nach einer Prognose der Yole Group könnte der weltweite Markt für GaN-Leistungshalbleiter bis 2031 ein Volumen von rund 3,5 Milliarden US-Dollar erreichen. Das entspräche einem durchschnittlichen jährlichen Wachstum von etwa 35 Prozent zwischen 2025 und 2031. Mit dem geplanten Produktionshochlauf ab Ende 2027 positioniert sich Infineon entsprechend frühzeitig für diese erwartete Nachfrage. (sb)

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