Leistungshalbleiter Wolfspeed meldet Produktion eines einkristallinen 300-mm-SiC-Wafer

Von Susanne Braun 1 min Lesedauer

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Halbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) sind aufgrund ihrer Eigenschaften für Hochleistungsanwendungen in den Bereichen KI und Hochstrom gefragte Bauteile. Mit einem Durchbruch bei einkristallinen 300-mm-SiC-Wafern verspricht sich Wolfspeed mehr Kosteneffizienz in der Fertigung.

Wolfspeed hat einen einkristallinen 300-mm-Siliziumkarbid-Wafer hergestellt.(Bild:  Wolfspeed)
Wolfspeed hat einen einkristallinen 300-mm-Siliziumkarbid-Wafer hergestellt.
(Bild: Wolfspeed)

Der US‑Halbleiterhersteller Wolfspeed, der in jüngerer Vergangenheit weniger mit technologischen als mit wirtschaftlichen Nachrichten auf sich aufmerksam gemacht hat, berichtet am 13. Januar 2026 vom Erreichen eines Meilensteins. Erstmals wurde ein Einkristall-Siliziumkarbid-Wafer im 300‑mm‑Format erfolgreich hergestellt. Dieses Format (12 Zoll) ist größer als die bislang üblichen 200 mm‑SiC‑Wafers und gilt als entscheidend für die industrielle Skalierung dieser Technologie.

Die Erweiterung auf 300 mm soll die Herstellbarkeit und Wirtschaftlichkeit von SiC‑Bauelementen deutlich verbessern. Größere Wafer bedeuten mehr Chips pro Durchlauf und damit niedrigere Stückkosten, was die breite Anwendung von SiC in leistungsstarken Systemen steigern kann, etwa in Rechenzentrums‑Infrastrukturen für KI, in AR/VR‑Plattformen oder bei hochwertigen Leistungsbauelementen.

„Die Herstellung eines 300-mm-Einkristall-Siliziumkarbid-Wafers ist eine bedeutende technologische Errungenschaft und das Ergebnis jahrelanger gezielter Innovationen in den Bereichen Kristallzüchtung, Boule- und Waferverarbeitung“, so Elif Balkas, Chief Technology Officer von Wolfspeed. „Damit ist Wolfspeed in der Lage, die transformativsten Technologien der Branche zu unterstützen, insbesondere kritische Elemente des KI-Ökosystems, immersive Augmented- und Virtual-Reality-Systeme sowie andere fortschrittliche Anwendungen für Leistungsbauelemente.“ (sb)

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