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Leistungshalbleiter für Elektrofahrzeuge 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer: Infineon schließt Lieferabkommen mit Wolfspeed

Von Stefanie Eckardt 2 min Lesedauer

Infineon Technologies und Wolfspeed haben eine mehrjährige Liefervereinbarung für 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer geschlossen, wie beide Unternehmen bekanntgaben. Damit stellt das Neubiberger Unternehmen die bestehende Lieferbeziehung mit Wolfspeed von der 150-mm- auf die 200-mm-Substrattechnologie um.

Infineon hat mit Wolfspeed über 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer ein Lieferabkommen unterzeichnet und will damit die Resilienz der Lieferkette stärken.(Bild: © malp - stock.adobe.com)
Infineon hat mit Wolfspeed über 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer ein Lieferabkommen unterzeichnet und will damit die Resilienz der Lieferkette stärken.
(Bild: © malp - stock.adobe.com)

Siliziumkarbidhalbleiter (SiC) haben sich zu einer Schlüsseltechnologie für Anwendungen entwickelt, die die globale Dekarbonisierung vorantreiben – beispielsweise für den Einsatz in Elektrofahrzeugen. Die Vereinbarung der beiden Partner unterstützt die Umstellung von Infineon auf die 200-mm-SiC-Fertigung und festigt vor allem die Resilienz der Lieferkette sowie die SiC-Wachstumsstrategie des Unternehmens. „Siliziumkarbid steht im Zentrum der Energiewende. Die Sicherstellung einer zuverlässigen Versorgung mit hochwertigen 200-mm-Substraten ist entscheidend, um unsere langfristigen Verpflichtungen gegenüber unseren Kunden zu erfüllen“, erklärt Alexander Gorski, Chief Operations Officer von Infineon.

SiC-Chips verbessern Effizienz des Stromers

SiC-Halbleiter spielen für insbesondere für Stromer eine entscheidende Rolle, weil sie den Wirkungsgrad des Antriebsstrangs deutlich verbessern und die Energieverluste bei der Stromwandlung stark reduzieren. So sorgen die Bauteile für mehr Reichweite: Dank niedriger Schalt- und Leitungsverluste in der Leistungselektronik steigt die Effizienz des Fahrzeugs. Das bringt je nach System etwa 10 bis 15 Prozent mehr Reichweite aus derselben Batterie. Ein weiterer Vorteil sind höhere Ladeleistungen und kürzere Ladezeiten sowie eine höhere Temperaturfestigkeit im Vergleich zu Silizium. Des Weiteren schalten SiC-Chips schneller und können kleiner sowie leichter gebaut werden. Dadurch schrumpft das Volumen der Wechselrichter und Steuergeräte, was Gewicht und Platz im Fahrzeug spart. Auch entsteht weniger Abwärme, so dass das Kühlsystem des Antriebs nicht so groß dimensioniert werden muss.

Mehr nutzbare Chipfläche pro Wafer

Der Übergang zu 200-mm-SiC-Wafern bietet im Vergleich zur 150-mm-Produktion erhebliche wirtschaftliche Vorteile. Der größere Wafer-Durchmesser erhöht die nutzbare Chipfläche pro Wafer, senkt die Substratkosten pro Einheit und verbessert die Gesamteffizienz der Fertigung. Infineon verfolgt eine Multi-Sourcing-Strategie für SiC-Substrate, um Flexibilität und Qualität der Lieferkette innerhalb seines globalen Produktionsnetzwerks sicherzustellen. Dazu gehört auch die hochmoderne 200-mm-SiC-Fabrik des Unternehmens in Kulim, Malaysia, die als weltweit größte und wettbewerbsfähigste Siliziumkarbid-Produktionsstätte konzipiert ist. (se)

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