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Leistungshalbleiter Toshiba baut 80-V-N-Kanal-MOSFET-Portfolio für 48-V-Systeme aus

Von Stefanie Eckardt 1 min Lesedauer

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Toshiba Electronics Europe GmbH

Toshiba hat zwei 80-V-N-Kanal-MOSFETs auf den Markt gebracht, die zur Unterstützung von 48-V-Systemen zum Einsatz kommen. Der XPH2R608QB und der XPH3R908QB sind die ersten Produkte der U-MOSX-H-Serie, die in SOP Advance-Gehäusen mit AOI-fähigen Strukturen untergebracht sind.

Toshiba hat neue 80-V-N-Kanal-MOSFETs auf den Markt gebracht, die mit niedrigem Einschaltwiderstand für Energieeinsparungen in 48-V-Systemen sorgen.(Bild: Toshiba)
Toshiba hat neue 80-V-N-Kanal-MOSFETs auf den Markt gebracht, die mit niedrigem Einschaltwiderstand für Energieeinsparungen in 48-V-Systemen sorgen.
(Bild: Toshiba)

Der U-MOSX-H-Prozess von Toshiba ermöglicht einen niedrigen Einschaltwiderstand der Bausteine. So lässt sich der Wirkungsgrad von 48-V-Systemen maximieren, die Leistung verbessern und die Lebensdauer der Fahrzeugbatterie verlängern. Der Einschaltwiderstand RDS(ON) des XPH2R608QB beträgt 2,55 mΩ (max.) bei einer Gesamt-Gate-Ladung (Qg) von 95 nC (typ.). Beim XPH3R908QB liegen die entsprechenden Werte bei 3,9 mΩ (max.) und 63 nC (typ.). Für beide Modelle gilt eine Gate-Source-Spannung (VGS) von 10 V (max.).

Gehäuse mit Kupferverbindungsstruktur

Das SOP-WF-Gehäuse ist darüber hinaus mit einer Kupferverbindungsstruktur ausgestattet. Dadurch wird der Widerstand des MOSFET-Gehäuses reduziert, der Wirkungsgrad verbessert, die Wärmeableitung gefördert und die Systemzuverlässigkeit erhöht. Das Design der Lötmenisken verbessert die Sichtbarkeit der Lötstellen, was die Überprüfung der Montagebedingungen auf der Leiterplatte mittels AOI erleichtert.

Die Modelle XPH2R608QB und XPH3R908QB eignen sich für den Einsatz in Antrieben für bürstenlose Gleichstrommotoren mit N-Kanal-MOSFETs und nicht isolierten DC-DC-Wandlern. Zu den weiteren Anwendungsbereichen gehören neben 28-V-Automobilsystemen auch Motorantriebe, Schaltnetzteile und Lastschalter. Zum Portfolio der U-MOSFET-H-Serie mit 80 V für den Automobilbereich gehört auch das Modell XPQR8308QB mit L-TOGL-Gehäuse und hoher Wärmeableitung. Um den vielfältigen Kundenbedürfnissen gerecht zu werden und verschiedene Automobilanwendungen zu unterstützen, wird Toshiba auch weiterhin MOSFET-Produkte für die Kfz-Branche entwickeln, die für 48-V-Systeme ausgelegt sind. (se)

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