Distribution Mouser vertreibt VS-HOT200C080 Leistungs-MOSFET-Modul von Vishay für Mildhybride

Von Stefanie Eckardt 1 min Lesedauer

Mouser Electronics liefert ab sofort das neue Leistungs-MOSFET-Modul VS-HOT200C080 mit 200 A und 80 V von Vishay Intertechnology. Dabei handelte es sich um ein integriertes Bauteil, das Platz spart, Durchlassverluste reduziert und die Zuverlässigkeit von 48-V-Traktionsumrichtern in Elektroleichtfahrzeugen (LEV) sowie von Riemen-Starter-Generatoren/Rekuperationssystemen in Mildhybriden erhöht.

Mouser Electronics liefert ab sofort das neue Leistungs-MOSFET-Modul VS-HOT200C080 mit 200 A und 80 V von Vishay Intertechnology. (Bild:  Mouser)
Mouser Electronics liefert ab sofort das neue Leistungs-MOSFET-Modul VS-HOT200C080 mit 200 A und 80 V von Vishay Intertechnology.
(Bild: Mouser)

Das bei Mouser erhältliche Leistungs-MOSFET-Modul VS-HOT200C080 mit 200 A und 80 V integriert 80-V-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration mit einem nach eigenen Aussagen „erstklassigem RDS(ON)“ in einem kompakten FlatPAK HC0-Gehäuse. Darüber hinaus verfügt das Bauteil über einen Shunt-Widerstand zur Strommessung, Bypass-Kondensatoren für eine verbesserte Schaltleistung und einen NTC zur Temperaturmessung. Der niedrige Einschaltwiderstand der MOSFETs reduziert die Durchlassverluste um 32 Prozent im Vergleich zu vergleichbaren Lösungen und verringert gleichzeitig den erforderlichen Platzbedarf auf der Leiterplatte um bis zu 15 Prozent gegenüber herkömmlichen diskreten Lösungen. Das Bauteil bietet eine Drain-Quellenspannung (VDSS) von 80 V und einen kontinuierlichen Drainstrom (ID) von 195 A (TC = +80°C). Die Transfer-Mold-Technologie des Leistungsmoduls ermöglicht einen Betrieb über einen Temperaturbereich von –55 bis 175 °C, insbesondere bei wiederholten Lastzyklen. Dadurch erfüllt das Produkt die strengen Zuverlässigkeitsanforderungen gemäß AQG-324.

Design vereinfachen

Das HC0-Gehäuse des VS-HOT200C080 verfügt über Signal- und Leistungsanschlüsse auf unterschiedlichen Höhen. Dadurch können Entwickler separate Leiterplatten für Leistung und Signale verwenden, was das Design vereinfacht und eine optimierte Leitungsführung ermöglicht. Um zusätzlichen Platz auf der Leiterplatte einzusparen, können die Signal- und Leistungsleiterplatten übereinander angeordnet werden. (se)

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