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Bauelemente Kompakte und robuste MOSFETs mit benetzbaren Flanken

Von Stefanie Eckardt 2 min Lesedauer

Toshiba Electronics Europe bringt mit den Bausteinen XSM6K361NW, XSM6K519NW, XSM6K376NW, XSM6K336NW und XSM6J372NW fünf neue MOSFETs für die Automobilindustrie auf den Markt, die durch Platzersparnis und einfache Montage überzeugen sollen. Dabei handelt es sich um N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs, die im DFN2020B(WF)-Gehäuse mit benetzbarer Flankenstruktur untergebracht sind.

Toshiba hat fünf neue Mosfets im DFN2020B(WF)-Gehäuse auf den Markt gebracht, das die Zuverlässigkeit, Miniaturisierung und AOI bei Automobilanwendungen verbessert.(Bild: Toshiba)
Toshiba hat fünf neue Mosfets im DFN2020B(WF)-Gehäuse auf den Markt gebracht, das die Zuverlässigkeit, Miniaturisierung und AOI bei Automobilanwendungen verbessert.
(Bild: Toshiba)

Das DFN2020B(WF)-Gehäuse ist ein bedeutender Fortschritt in der Automobilelektronik und bietet zahlreiche Vorteile. Im Vergleich zum bereits auf dem Markt erhältlichen UDFN6B-Gehäuse verbessert die benetzbare Flankenstruktur die Lötbarkeit. Ein weiterer entscheidender Faktor ist die bessere Sichtbarkeit der Lötstelle. Dadurch ist es möglich, die Qualität der Lötverbindung mithilfe automatischer optischer Inspektionsgeräte (AOI) zu überprüfen. Das neue Gehäuse weist zudem in Scherkrafttests an Lötverbindungen eine um ca. 23 Prozent höhere Festigkeit auf als das derzeit verfügbare SOT-23F-Gehäuse von Toshiba, was die Zuverlässigkeit erhöht.

Mit einer typischen Gehäusegröße von 2,0 x 2,0 x 0,6 mm reduziert das DFN2020B(WF)-Gehäuse die Montagefläche um ca. 43 Prozent und die Höhe um etwa 25 Prozent im Vergleich zum SOT-23F-Gehäuse mit Maßen von 2,4 x 2,9 x 0,8 mm.

Hohe Wärmeabfuhr

Trotz seiner kompakten Größe zeichnet sich das neue Gehäuse durch eine hohe Wärmeabfuhr aus. So beträgt die maximale Verlustleistung des XSM6K361NW beispielsweise 1,84 W: Das ist etwa 1,5-mal mehr als die 1,2 W des momentan erhältlichen Toshiba-Produkts SSM3K361R mit SOT-23F-Gehäuse. Diese Fähigkeit fördert die Entwicklung kompakter Automobilkomponenten, für die leistungsstarke MOSFETs notwendig sind, beispielsweise DC/DC-Wandler für elektronische Steuergeräte und Lastschalter für LED-Scheinwerfer.

Diese neuen Produkte entsprechen der AEC-Q101, der in der Automobilindustrie maßgeblichen Spezifikation für Zuverlässigkeitsprüfungen. Darüber hinaus steht das Produktionsteil-Freigabeverfahren PPAP (Production Part Approval Process) gemäß der internationalen Norm IATF 16949 für Qualitätsmanagementsysteme speziell für die Kfz-Branche zur Verfügung.

Toshiba will sein MOSFET-Portfolio mit dem DFN2020B(WF)-Gehäuse ausweiten und plant, in Zukunft 2-in-1-MOSFET-Produkte mit dem DFN2020(WF)-Gehäuse für Automobilanwendungen auf den Markt zu bringen.  (se)

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