Elektromobilität Infineon: CoolGaN-Leistungsmodule für Hochvoltanwendungen ergänzen EasyPACK-Portfolio

Infineon Technologies erweitert sein wachsendes Galliumnitrid-Portfolio um die EasyPACK-Module. Die CoolGaN-Module basieren auf der EasyPACK-Modul-Plattform und wurden speziell für Hochleistungsanwendungen wie Ladeeinheiten für Elektrofahrzeuge entwickelt.

Das EasyPACK CoolGaN-Modul integriert 650-V-CoolGaN-Leistungshalbleiter mit geringen parasitären Induktivitäten, die durch eine kompakte Chip-Anordnung erreicht werden und eine schnelle und effiziente Schaltung ermöglichen. Mit einer Leistung von bis zu 70 kW pro Phase mit einem Modul unterstützt das Design kompakte und skalierbare Hochleistungssysteme. Durch die Kombination der Infineon .XT-Technologie erhöht das Modul zudem sowohl die Leistung als auch die Zuverlässigkeit. Die .XT-Technologie kombiniert mit einem Hochleistungssubstrat erhöht die Systemeffizienz signifikant, was zu einer Reduzierung des Kühlungsbedarf führt. Auf diese Weise werden eine höhere Leistungsdichte und eine ausgezeichnete Temperaturwechselrobustheit auch unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen erreicht.

Erweitertes Anwendungsspektrum

Insgesamt hat der Halbleiterhersteller bereits weit über 70 Millionen EasyPACK-Module mit verschiedenen Chipsätzen für diverse Anwendungen verkauft. Mit der Einführung der CoolGaN-Leistungshalbleiter in EasyPACK-Modulen erweitern die Münchner nun das Anwendungsspektrum von GaN-Leistungshalbleitern und unterstützt somit die wachsenden Leistungsanforderungen bei gleichem oder geringerem Bauraum. Die EasyPACK-Serie nutzt die PressFIT-Kontakttechnologie von Infineon, die hochzuverlässige und langlebige elektrische Verbindungen zwischen dem Modul und der Leiterplatte ermöglicht. Durch den Einsatz eines Kaltverschweißungsverfahrens liefert PressFIT gasdichte, lötfreie Verbindungen, die auch unter hohen thermischen und mechanischen Bedingungen langfristige mechanische Stabilität und elektrische Leitfähigkeit bieten. Dieses Design reduziert die Fertigungszeit und eliminiert potenzielle lötbedingte Fehler, wodurch eine robuste Lösung für Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit entsteht. Im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Layouts benötigen EasyPACK-Module aufgrund ihrer kompakten Bauweise bis zu 30 Prozent weniger Platz auf der Leiterplatte. .

Mehr Leistung und höhere Effizienz

Die neuen 650-V-CoolGaN-Chips punkten laut Hersteller mit einer verbesserten Leistung und besseren Kennwerten. So sollen CoolGaN-Leistungshalbleiter der 650-V-G5-Produktreihe bis zu 50 Prozent weniger Energie in der Ausgangskapazität (Eoss) speichern, eine um bis zu 60 Prozent verbesserte Drain-Source-Ladung (Qoss) und eine um bis zu 60 Prozent geringere Gate-Ladung (Qg) aufweisen. Zusammen führen diese Eigenschaften zu einer höheren Effizienz sowohl in Hard- als auch in Soft-Switching-Anwendungen. Dadurch wird der Leistungsverlust im Vergleich zur herkömmlichen Siliziumtechnologie deutlich reduziert; je nach Anwendungsfall um 20 bis 60 Prozent. Die CoolGaN Transistor 650 V G5-Produktfamilie bietet eine breite Palette an RDS(on)-Gehäusekombinationen. Es sind zehn RDS(on)-Klassen in verschiedenen SMD-Gehäusen erhältlich, darunter ThinPAK 5x6, DFN 8x8, TOLL und TOLT. Alle Produkte werden auf 8-Zoll-Produktionslinien in Villach und Kulim hergestellt. (se)

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