Elektromobilität 800-V-Ladelösung von Forvia Hella integriert CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V von Infineon

Von Stefanie Eckardt 1 min Lesedauer

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Der siebtgrößte Zulieferer weltweit Forvia Hella setzt für seine 800-Volt-Ladelösung auf den CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V von Infineon. Die Leistungskomponente ist für On-Board-Ladegeräte und DC-DC-Anwendungen in 800-V-Fahrzeugarchitekturen. Der MOSFET basiert auf der Top-Side-Cooling-Technologie.

Zulieferer Forvia Hella hat sich für seine 800-V-DC-DC-Ladelösung für den neuen CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V von Infineon entschieden.(Bild:  Infineon Technologies)
Zulieferer Forvia Hella hat sich für seine 800-V-DC-DC-Ladelösung für den neuen CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V von Infineon entschieden.
(Bild: Infineon Technologies)

Der neue CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V im Q-DPAK-Gehäuse basiert auf der Gen1p-Technologie und weist eine Ansteuerspannung von V GS(off)= 0 V bis V GS(on)= 20 V. Die Abschaltung bei 0 V ermöglicht eine unipolare Gate-Steuerung, sodass sich die Anzahl der benötigten Bauteile auf der Leiterplatte reduziert und das Design vereinfacht wird.

Keine zusätzliche Isolationsbeschichtung notwendig

Mit einer Kriechstrecke von 4,8 mm erreicht das Gehäuse eine Betriebsspannung von über 900 V, ohne dass eine zusätzliche Isolationsbeschichtung erforderlich ist. Im Vergleich zur Rückseitenkühlung sorgt die Top-Side-Cooling-Technologie (TSC) für eine optimierte Leiterplattenbestückung, wodurch parasitäre Effekte reduziert werden und sich die Streuinduktivität minimiert. Vorteile: geringere parasitäre Eigenschaften des Gehäuses und niedrigere Schaltverlusten. Die Wärmeableitung wird durch das Diffusionslöten des Chips mit der .XT-Technologie weiter verbessert.

Der CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V im Q-DPAK-Gehäuse ist ab sofort erhältlich.  (se)

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